Moin,
einfach so einen Mosfet parallel zu schalten könnte etwas hakelig sein und sich mit Rauchzeichen rächen. Ich will mal versuchen, die Zusammenhänge deutlich zu machen.
Zwei wichtige Kenngrößen von einem Mosfet sind neben der Dauer- und Pulsstromfestigkeit und Spannungsfestigkeit der Wiederstand im leitenden Zustand (Rdson) und die Gatekapazität (Qgate). Im Unterschied zu einem normalen bipolaren Transistor, der mit dem Basis-Emitter Strom die Leitfähigkeit zwischen Kollektor und Emitter bestimmt, wird ein FET und eben auch ein Mosfet prinzipiell mit der Spannung zwischen Gate und Source. Nun hat dieses Gate die Kapazität Qgate und wie jeder Kondensator braucht auch dieser Gatekondensator eine gewisse Zeit zum umladen von aus zu ein und umgekehrt. In dieser Umladungszeit wird es für den Mosfet ziemlich gefährlich, da er noch nicht vollständig geschlossen ist (Rds -> seeehr hoch) oder noch nicht vollständig geöffnet ist (Rds -> Rdson). In dieser Zeit fällt über dem halb geöffneten Mosfet eine Spannung ab die, mit dem Strom zu dieser Zeit die Verlustleistung ergibt, die der Mosfet dann wiederum thermisch zu verkraften hat. Dabei gilt: "Wärme ist des Halbleiters Tod".
Diese Umladungszeit wird zum einen durch das Qgate, zum anderen durch die Schnelligkeit und Stromlieferfähigkeit des Mosfettreibers bestimmt.
Um es kurz zu machen, je größer die Gatekapazität ist, um so länger kann das umladen dauern, wodurch mehr Wärme entsteht.
Um jetzt zwei Mosfets parallel zu schalten, sollte man auf ein niedrigeres Qgate achten, als es der originale Mosfet hat um den Treiber nicht zu überlasten und um die Umladungszeiten kurz zu halten. Vielleicht reicht es auch, nur einen Mosfet mit besseren Daten (Qgate, Rdson) zu nehmen.
Wo man gute Mosfets findet ist:
www.irf.com www.vishay.com . Vielleicht gibt es dort ja auch Samples, ansonsten bekommt man manches bei
www.reichelt.de oder
www.rsonline.de

Johannes